晶体三极管是干什么用的-能帮我介绍一下吗-

晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一 ，在电路中用“V ”或“VT
”（旧文字符号为“Q” 、“GB ”等）表示。

晶体管是内部含有两个PN结
，外部通常为三个引出电极的半导体器件 。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛
。

一
、晶体管的种类

晶体管有多种分类方法。

（一）按半导体材料和极性分类

按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管 。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管 、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管
。

（二）按结构及制造工艺分类

晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管
、合金型晶体管和平面型晶体管。

（三）按电流容量分类

晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管 。

（四）按工作频率分类

晶体管按工作频率可分为低频晶体管 、高频晶体管和超高频晶体管等
。

（五）按封装结构分类

晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管
、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管 、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样 。

（六）按功能和用途分类

晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管
、低频放大晶体管、开关晶体管 、达林顿晶体管
、高反压晶体管、带阻晶体管 、带阻尼晶体管
、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。

二 、晶体管的主要参数

晶体管的主要参数有电流放大系数
、耗散功率、频率特性 、集电极最大电流
、最大反向电压、反向电流等
。

（一）电流放大系数

电流放大系数也称电流放大倍数 ，用来表示晶体管放大能力。

根据晶体管工作状态的不同
，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数 。

1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时 ，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值
，一般用hFE或β表示
。

2．交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下 ，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。

hFE或β既有区别又关系密切
，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异 。

（二）耗散功率

耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM ，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率
。

耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时
，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏 。

通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管 ，PCM等于或大于1W 、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管
，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管
。

（三）频率特性

晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用 。

晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等
。

1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时 ，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率 。

通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管
，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。

2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率
。

通常 ，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα
，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα
、低于共集电极截止频率fβ。

（四）集电极最大电流ICM

集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流 。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化 ，影响其正常工作，甚至还会损坏
。

（五）最大反向电压

最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压 。

1．集电极—发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时
，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示
。

2．集电极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时 ，其集电极与基极之间的最大允许反向电压
，用VCBO或BVCBO表示。

3．发射极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压 ，用VEBO或BVEBO表示 。

（六）反向电流

晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO
。

1．集电极—基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流
，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感 ，该值越小
，说明晶体管的温度特性越好 。

2．集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流 ，也称穿透电流
。此电流值越小
，说明晶体管的性能越好。

回答者： some_thing - 首席运营官 十二级 4-3 13:37

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晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V
”或“VT”（旧文字符号为“Q ” 、“GB
”等）表示 。晶体管是内部含有两个PN结 ，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛
。

三极管详解半导体三极管也称为晶体三极管
，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用 。三极管顾名思义具有三个电极
。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成 ，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示） 。由于不同的组合方式
，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管
。